本發明揭露一種互補金氧半微機電感測器晶片的製造方法及其裝置，包括以下步驟：提供一矽基板; 形成複數個淺溝槽隔離氧化物於矽基板的內部及上表面; 分別形成一多晶矽層於一淺溝槽隔離氧化物的部份上表面; 形成一微機電結構於矽基板、氧化物及多晶矽層的上表面; 進行光刻製程以在微機電結構中形成貫穿微機電結構的複數個垂直溝槽; 以及對垂直溝槽和氧化物下方的矽基板進行蝕刻，以形成一護城壕空間，藉此懸空微機電結構。因此，本發明的製造方法使用淺溝槽隔離氧化物來提供保護給多晶矽層，使其在蝕刻步驟進行時不會受到侵蝕。
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